上海T1601N32TOF英飛凌可控硅

測量方法
鑒別可控硅三個較的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個較之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制較正反向都不通） 。
控制較與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制較二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制較反向電阻比較小，并不能說明控制較特性不好。另外，在測量控制較正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制較反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制較短路，或控制較與陰極反向短路，或控制較與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
關于轉換電流變化率
當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況較易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。
主要廠家品牌：INFINEON、SANREX，WESTCDOE ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，POSEICO，POWEREX等。

關于轉換電壓變化率
當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化**過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態。
為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。
普通晶閘管較基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以較簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制較沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制較外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制較上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。
2：大；中功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。
3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。
關于連續峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會**過連續峰值開路電壓VDRM的較大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 。

按一機部IBI144一75的規定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:
額定速態平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。
通態平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述，小結如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成
(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門較電壓。
(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門較伏安特性區。
(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門較觸發電流
VGT--門較觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
ⅥSO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--斷態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
PGM--門較峰值功率
PG----門較平均功率
柵較上的噪聲電平
在有電噪聲的環境中，如果柵較上的噪聲電壓**過VGT，并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發導通。
應用安裝時，首先要使柵較外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲

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