正向性
外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用
，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當
正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓而迅速上
升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的
正向電壓。當二極管兩端的正向電壓**過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長
，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的
正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。
主要參數
用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有
不同的特性參數。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數：
1、大整流電流IF
是指二極管長期連續工作時，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條
件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度**過容許限度（硅管為141左
右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散熱條件下，二極管使用中不要
**過二極管大整流電流值。例如，常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A
。
2、高反向工作電壓Udrm
加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用
安全，規定了高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為
1000V。
3、反向電流Idrm
反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電
流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫
度每升高10℃，反向電流一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫
度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅
失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流
僅為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較
好的穩定性。
4.動態電阻Rd
二極管特性曲線靜態工作點Q附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。
5高工作頻率Fm
Fm是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以Fm的值主
要取決于PN結結電容的大小。若是**過此值。則單向導電性將受影響。
6，電壓溫度系數αuz
αuz指溫度每升高一攝氏度時的穩定電壓的相對變化量。uz為6v左右的穩壓二極管的溫度穩定
性較好
二極管的正負二個端子。正端A稱為陽極，負端K ；稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移
動。一些初學者容易產生這樣一種錯誤認識：“半導體的一‘半’是一半的‘半’；而二極管
也是只有一‘半’電流流動（這是錯誤的），所有二極管就是半導體 ；”。其實二極管與半
導體是完全不同的東西。我們只能說二極管是由半導體組成的器件。半導體無論那個方向都能
流動電流。
反向擊穿
齊納擊穿
反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很
小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空
穴對，致使電流急劇，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不
容易產生齊納擊穿。
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