產品規格SEMIX604GB12T4S包裝說明原裝進口
關于連續峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會**過連續峰值開路電壓VDRM的較大值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 。
可控硅有多種分類方法。
(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
可控硅開關
可控硅開關
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。
德國賽米控IGBT功率模塊:
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西門康IPMSkiip1013GB122-2DL Skiip1203GB122-2Dw Skiip1513GB122-3DL Skiip1803GB122-3Dw Skiip2013GB122-4DL Skiip2403GB122-4Dw Skiip313GD122-3DUL Skiip513GD122-3DUL Skiip603GD122-3Duw Skiip1213GB123-2DL Skiip1813GB123-3DL Skiip2413GB123-4DL Skiip613GD123-3DUL Skiip432GB120-2D Skiip632GB120-3D Skiip642GB120-2D Skiip832GB120-4D Skiip942GB120-3D Skiip1242GB120-4D Skiip432GH120-4D Skiip642GH120-4D Skiip132GD120-3Du Skiip232GD120-3Du Skiip342GD120-3Du Skiip132GDl120-4Du Skiip132GDl120-4Du Skiip232GDl120-4Du Skiip232GDl120-4Du Skiip342GDl120-4Du Skiip342GDl120-4Du Skiip1013GB172-2DL Skiip1203GB172-2Dw Skiip1513GB172-3DL
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