【英飛凌IGBT銷售】IGBT結構

一個N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙較晶體管，起**較的作用，向漏較注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏較（即集電極C）。

IGBT的開關作用是通過加正向柵較電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基較電流，使IGBT導通。反之，加反向門較電壓消除溝道，切斷基較電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入較N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基較注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。

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